Выберите город: (812) 313-34-40


Microsemi Corporation представила новый радиочастотный транзистор 2729GN-500, предназначенный для применения в системах радиолокации. Транзистор 2729GN-500 компании Microsemi с пиковой выходной мощностью 500 Вт предназначен для работы на частотах 2,7-2,9ГГц. Транзистор производится по полупроводниковой технологии нитрид галлия на карбиде кремния (GaN-on-SiC), обеспечивающей более высокую..

Подробнее »


Новые мощные Gan-on-SiC транзисторы Microsemi для S-band радаров Microsemi corporation расширила линейку транзисторов для работы в радарах S диапазона, добавив в нее новые компоненты использующие преимущества технологии нитрида галлия (GaN) на подложке из карбида кремния (SiC). Фирменные GaN-on-SiC мощные импульсные транзисторы позволяют получить наивысшие в индустрии..

Подробнее »


Силовые модули Microsemi (APT) соответствуют жестким требованиям автомобильной электроники Компания Microsemi, производитель интегральных микросхем и высоконадежных полупроводниковых приборов разработала собственную методику тестирования силовых модулей на соответствие стандарту автомобильной электроники AEC-Q101 (европейский стандарт регламентирующий применение полупроводников в..

Подробнее »


Транзисторы 0150SC-1250M и 0405SC-1000M, на основе одного из самых перспективных материалов современной электроники – карбиде кремния, спроектированы для диапазонов частот 150-160 МГц и 406-450 МГц соответственно. Эти высокоэффективные транзисторы обеспечивают выходную мощность 1400 Вт для 150-160 МГц и 1100 Вт для 406-450 МГц в компактном корпусе. Широко производимые в настоящее время..

Подробнее »


Транзисторы 0150SC-1250M и 0405SC-1000M, на основе одного из самых перспективных материалов современной электроники – карбиде кремния, спроектированы для диапазонов частот 150-160 МГц и 406-450 МГц соответственно. Эти высокоэффективные транзисторы обеспечивают выходную мощность 1400 Вт для 150-160 МГц и 1100 Вт для 406-450 МГц в компактном корпусе. Широко производимые в настоящее время..

Подробнее »


Корпорация Microsemi – признанный лидер в разработке и производстве интегральных микросхем и высоконадежных полупроводниковых приборов объявила о выпуске новой линейки 600 и 900 вольтовых IGBT транзисторов PT (Punch Through) MOS8 Основными областями применения новых PT IGBT Power MOS 8® транзисторов являются: импульсные источники питания, блоки зарядки конденсаторов,..

Подробнее »


Microsemi Corporation, ведущий изготовитель высококачественных аналоговых и аналогово-цифровых микросхем в интегральном исполнении и полупроводниковых приборов высокой надежности, заявил о выпуске новой линейки из 38 стандартных силовых модулей низкого профиля в компактном корпусе SP1. Основные применения: коррекция коэффициента мощности, управление двигателями, ИБП (источники..

Подробнее »


Компания Microsemi Corporation - один из ведущих производителей аналоговых интегральных микросхем и высоконадёжных полупроводниковых устройств объявила о начале производства мощного 150 Вт СВЧ-транзистора MDS150. Транзистор MDS150 представляет собой разгоняющий транзистор, специально разработанный, чтобы дополнить семейство мощных СВЧ-транзисторов фирмы Microsemi, предназначенных..

Подробнее »


Компания Microsemi Corporation - один из ведущих производителей аналоговых интегральных микросхем и высоконадёжных полупроводниковых устройств - объявила о начале производства новой серии высокоскоростных IGBT транзисторов, разработанных для применения в сварочных аппаратах, маломощных солнечных преобразователях, источниках бесперебойного питания и промышленных источниках питания. Новое..

Подробнее »


Корпорация Microsemi, ведущий производитель высококачественных аналоговых и аналогово-цифровых интегральных схем и полупроводниковых компонентов повышенной надёжности, объявила о выпуске новой серии современных усилителей мощности для работы в мощных импульсных радарах L-диапазона. Новая серия мощных модулей разработана с целью значительного сокращения сроков разработки систем,..

Подробнее »

Copyright 2016 YE International yesupport@yeint.ru Обратная связь
 
 
Задать вопрос