Новые мощные GaN-on-SiC транзисторы Microsemi для S-band радаров

Новые мощные GaN-on-SiC транзисторы Microsemi для S-band радаров подробнее
22.06.11

Силовые модули Microsemi (APT) соответствуют жестким требованиям автомобильной электроники

Силовые модули Microsemi (APT) соответствуют жестким требованиям автомобильной электроники подробнее
02.07.09

Компания Microsemi запускает в производство два первых типа СВЧ - транзисторов на основе карбида кремния  для радаров и авиационной электроники

Компания Microsemi запускает в производство два первых типа СВЧ - транзисторов на основе карбида кремния для радаров и авиационной электроники подробнее
04.02.09

Корпорация Microsemi – признанный лидер в разработке и производстве интегральных микросхем и высоконадежных полупроводниковых приборов объявила о выпуске новой линейки 600 и 900 вольтовых IGBT транзисторов PT (Punch Through) MOS8

Корпорация Microsemi – признанный лидер в разработке и производстве интегральных микросхем и высоконадежных полупроводниковых приборов объявила о выпуске новой линейки 600 и 900 вольтовых IGBT транзисторов PT (Punch Through) MOS8 подробнее
18.07.08

Microsemi Corporation, ведущий изготовитель высококачественных аналоговых и аналогово-цифровых микросхем в интегральном исполнении и полупроводниковых приборов высокой надежности, заявил о выпуске новой линейки из 38 стандартных силовых модулей низкого пр

Microsemi Corporation, ведущий изготовитель высококачественных аналоговых и аналогово-цифровых микросхем в интегральном исполнении и полупроводниковых приборов высокой надежности, заявил о выпуске новой линейки из 38 стандартных силовых модулей низкого пр подробнее
05.02.08

Компания Microsemi Corporation объявила о начале производства мощного 150 Вт СВЧ-транзистора MDS150

Компания Microsemi Corporation объявила о начале производства мощного 150 Вт СВЧ-транзистора MDS150 подробнее
07.09.07

Компания Microsemi Corporation объявила о начале производства новой серии высокоскоростных IGBT транзисторов, разработанных для применения в сварочных аппаратах, маломощных солнечных преобразователях, источниках бесперебойного питания и промышленных источ

Компания Microsemi Corporation объявила о начале производства новой серии высокоскоростных IGBT транзисторов, разработанных для применения в сварочных аппаратах, маломощных солнечных преобразователях, источниках бесперебойного питания и промышленных источ подробнее
31.08.07

Корпорация Microsemi объявила о выпуске новой серии современных усилителей мощности для работы в мощных импульсных радарах L-диапазона

Корпорация Microsemi объявила о выпуске новой серии современных усилителей мощности для работы в мощных импульсных радарах L-диапазона подробнее
07.08.07

Copyright 2008 YEInternational yesupport@yeint.ru Обратная связь