Корпорация Microsemi – признанный лидер в разработке и производстве интегральных микросхем и высоконадежных полупроводниковых приборов объявила о выпуске новой линейки 600 и 900 вольтовых IGBT транзисторов PT (Punch Through) MOS8

 

Основными областями применения новых PT IGBT Power MOS 8® транзисторов являются: импульсные источники питания, блоки зарядки конденсаторов, солнечные преобразователи и сварочные инверторы, преобразователи индукционного нагрева.



Основные характеристики:

• Технология Punch Through IGBT


• Высокая скорость переключения


• Высокая эффективность – низкое напряжение насыщения


• Малые потери при переключении


• Низкое значение VCE(ON)

 

Отличительной особенность новой серии Power MOS 8® IGBT являются малые потери проводимости VCE(ON),typ = 2.0 V (600V) и 2.5V (900 V). Низкие потери при переключении позволяют применять Power MOS 8® IGBT на частотах более 100 кГц. что дает возможность их использования вместо гораздо более дорогих полевых МОП транзисторов.



Подробнее

18.07.2008

Предыдущая новость: Новые источники питания HWS-P с пиковой мощностью 300% от номинальной

Следующая новость Melexis представляет новый датчик света MLX75304 для использования в системах регулировки яркости экранов телефонов и ноутбуков