Выберите город: (812) 313-34-40
 янв фев мар апр май июн июл авг сен окт ноя дек


Компания Microsemi Corporation - один из ведущих производителей аналоговых интегральных микросхем и высоконадёжных полупроводниковых устройств - объявила о начале производства новой серии высокоскоростных IGBT транзисторов, разработанных для применения в сварочных аппаратах, маломощных солнечных преобразователях, источниках бесперебойного питания и промышленных источниках питания.

Новое поколение IGBT-транзисторов компании Microsemi выполнено по технологии NPT и предназначено для применения в устройствах, работающих с высокой частотой переключения. Эти транзисторы обладает более высоким напряжением насыщения и существенно меньшими потерями энергии при выключении, чем предыдущие поколения IGBT-транзисторов. Низкие потери при выключении позволяют транзисторам работать на частотах переключения более 100 кГц, по характеристикам превосходя мощные MOSFET – структуры. Кроме того, IGBT-транзисторы дешевле благодаря меньшему размеру кристалла. Поколение IGBT- транзисторов Thunderbolt HS выпускаются как в дискретном исполнении, так и совместно с антипараллельными быстровосстанавливающимися диодами.

    Основные характеристики
  • Высокая скорость переключения со сниженными потерями энергии выключения E(off )
  • Новейшее поколение приборов изготовленных по технологии NPT
  • Возможность параллельного включения
  • Использование антипараллельного быстровосстанавливающегося диода
  • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Высокая помехозащищенность
  • Высокая надежность

Исключительные характеристики быстрого восстановления антипараллельных диодов в комбинированных версиях транзисторов позволяет использовать серию Thunderbolt HS™ для использования в устройствах с жестким переключением. Характеристики комбинированных диодов сочетаются с быстрым отключением IGBT и высокой надежностью для применения в устройствах, отключающихся при нуле напряжения. Серия транзисторов Thunderbolt HS™ является прекрасным решением для высокомощных устройств с оптимальным соотношением цена-качество.

Высокоскоростные транзисторы IGBT с напряжением пробоя 600 В и напряжением коллектор-эмиттер 2.8 В бывают 3 типов – на 20, 30 и 50 А и поставляются в корпусах TO-220, TO-247 или D(3). Комбинированные версии включают в себя быстровосстанавливающиеся антипараллельные DQ-диоды.

Дискретные приборы IGBT Thunderbolt :
20 А -- APT20GS60KRG;
30 А -- APT30GS60KRG;
50 А -- APT50GS60BRG.

Комбинированные приборы IGBT Thunderbolt с высокоскоростными DQ –диодами :
20 А -- APT20GS60BRDQ1G;
30 А -- APT30GS60BRDQ2G;
50 А -- APT50GS60BRDQ2G.

Образцы приборов уже доступны



31.08.2007

Предыдущая новость:
Компания Melexis постаралась удовлетворить спрос предложением и выпустила 4 канальный ЛСС-передатчик

Следующая новость
Компания Austriamicrosystems представляет новый счетчик энергии с поддержкой 80-сегментного жидкокристаллического дисплея

Copyright 2016 YE International yesupport@yeint.ru Обратная связь
 
 
Задать вопрос