Новые мощные Gan-on-SiC транзисторы Microsemi для S-band радаров

 

       Microsemi corporation расширила линейку транзисторов для работы в радарах S диапазона, добавив в нее новые компоненты использующие преимущества технологии нитрида галлия (GaN) на подложке из карбида кремния (SiC). Фирменные GaN-on-SiC мощные импульсные транзисторы позволяют получить наивысшие в индустрии выходную мощность и усиление для радаров, работающих в диапазонах 2,7-3,5ГГц.

 

      Новые мощные транзисторы GaN-on-SiC дополнили линейку ВЧ транзисторов Microsemi, уже имеющую Si BFT, RF MOSFET (VDMOS) и RF NPN технологии, также включающие SiC SIT устройства, обеспечивающие отличную производительность в мощных радарах UHF диапазона, работающих на частотах до 450МГц. Microsemi также применяет GaN технологию для линейки GaN Field-effect (FETs) транзисторов использующихся в космических аппаратах и специальных приложениях.

 

     Преимущества Microsemi GaN-on-SiC транзисторов: Vbr стока выше 350В, что позволяет транзистору работать со смещением стока в 60В, обеспечивая значительно более высокую надежность устройства, по сравнению с транзисторами, произведенными по LDMOS технологии. Большее напряжение смещения стока увеличивает пиковую выходную мощность, а более удобные в использовании значения импеданса устройства упрощают согласование во всем рабочем частотном диапазоне. Microsemi Ga-on-SiC транзисторы имеют коэффициент усиления более 13дБ и покрывают полосу частот в 400МГц.

 

     Новые транзисторы Microsemi также позволяют уменьшить размер системы. Например 2729GN-270 транзистор заменяет трехступенчатую систему на базе традиционных Si BJT транзисторов, состоящих из разгонного транзистора и паллеты на выходном каскаде, содержащей 2 транзистора по 150Вт каждый. При использовании новых Ga-on-SiC транзисторов уменьшается размер и сложность системы, при одновременном увеличении мощности и эффективности.

 

 

2735GN-100 2,7-3,5 GHz, 100W, Gain 11dB, 300us 10%

2729GN-270 2,7-2,9 GHz, 280W, Gain 13-14dB 100us 10%

2731GN-200 2,7-3,1 GHz, 220W, Gain 12-13dB 200us 10%

2731GN-170 3,1-3,5 GHz, 180W, Gain 11-12dB 300us 10%

 

 

 

22.06.2011

Предыдущая новость: Новый круглый разъем D38999 от компании Yamaichi

Следующая новость Новый каталог джойстиков APEM