microsemi_GaN и SiC

Новые транзисторы, выполненные по технологиям GaN и SiC

  • Импульсные транзисторы и транзисторы для работы с непрерывной мощностью для первичных и вторичных радиолокаторов, а также систем связи.
  • Технология полупроводников с широкой запрещенной зоной позволяет устройствам работать при больших напряжениях и температурах перехода полупроводникового кристалла, благодаря чему достигается работа устройства большей мощности при меньшем размере.
  • GaN транзисторы Microsemi используют подложку из SiC, вместо традиционного Si, благодаря чему достигается лучший теплоотвод, а значит и допустимая мощность устройства.
  • Две технологии производства полупроводниковых устройств: GaN on SiC HEMT и SiC SIT.
  • В диапазонах ОВЧ, УВЧ и L SiC SIT транзисторы обеспечивают до 2200Вт выходной мощности при длительности импульса 100мкс и скважности 10.
  • GaN on SiC транзисторы обеспечивают более 700 Вт выходной мощности для применений в авиационной электронике L-диапазона.

Для импульсных радаров GaN on SiC транзисторы обеспечивают выхдную мощность в 500Вт для L-диапазона, 500Вт для S-диапазона и 150Вт для С-диапазона

 

 

Pulsed Devices Class AB

Pout Min (W)

Pin Max (W)

Gain Min (dB)

Vdd (V)

n Typ (%)

Idq Ave' (mA)

Pulse Width (ps)

Duty Cycle (%)

VSWR Load

0jc (C/W)

Case Style

Part Number

VHF 150-100 №z SIC SIT Common Gate

1250

160

9.5

125

60

500

300

10

10:1

0.15

55KT-2

0150SC-1250M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UHF 406-450 MHz SC ST Common Gate

100

11

10

125

50

30

300

10

10:1

25

55KT-FET

0405SC-100M

500

55

10

125

50

100

300

10

10:1

0.3

55KT-FET

0405SC-500M

1000

155

&5

125

55

150

300

10

10:1

0.15

55ST-FET

0405SC-1250M

1500

270

8

125

55

125

300

e

5:1

0.15

55ST-FET

0405SC-1500M

2200

440

8

125

55

150

300

6

10:1

0.15

55TW-FET

0405SC-2200M

1030 № Mooe-3 ELM GoNonSCHEMT

700

5

21.5

65

75

1000

2400**

64

3:1

025

55KR

1011GN-700ELM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1030/1000 MHz Mode-S ELM GaN on SiC HEMT Common Source

650

5

20.8

65

67

100

2400**

6.4

3:1

0.25

55KR

MDS-GN-650ELM

750

14.1

17.2

50

68

100

2400

6.4

3:1

024

55KR

MDSGN-750ELMV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1030MHz Mode-S / TCAS / IFF GaN on SiC HEMT Common Souce

1000

17.8

17.5

50

55

100

10

1

3:1

0.12

55KR

1011GN-1000V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1025-1150 MHz Air DME GaNonSCOassAB Common Souce

700

126

19

50

60

100

20

6

3:1

0.21

55KR

DME-GN-700V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

960-1215 MHz HD Data Link GoNonSCHEMT Common Souce

20

0.4

17

50

55

10

128

10

3:1

6.56

55KR

0912GN-20V*

100

25

16

50

55

30

3000

30

3:1

1.07

55KR

0912GN-100LV*

300

4

17.5

65

55

50

128

10

3:1

аз

55KR

0912GN-300

300

6.3

16.8

50

55

50

128

10

3:1

0.44

55KR

0012GN-300V*

600

8

18

65

55

100

128

10

3:1

02

55KR

0912GN-600

650

11.2

17.6

50

55

100

128

10

3:1

0.23

55KR

0912GN-650V*

L-Band 1200-1400 MHz GaN on SC HEMT Common Source

20

0.4

17

50

50

20

300

10

5:1

5.39

55KR

1214GN-20V

100

2.5

16

50

55

30

3000

30

3:1

1.1

55KR

1214GN-100LV*

280

6.3

16.7

50

60

50

200

20

3:1

0.57

55KR

1214GN-28CLV*

500

8

18

60

55

50

300

10

3:1

0.16

55KR

1214GN-500

550

12

16.6

50

55

100

300

10

3:1

0.24

55KR

1214GN-550V*

S-Band 2700-2800 MHz GoNonSCHEMT Common Source

150

10

11.76

50

50

30

100

10

5:1

0.92

55QP

2729GN-150V*

150

8

12.7

60

50

30

100

10

5:1

1.1

55QP

272SGN-150

270

16

127

50

55

60

100

10

3:1

0.38

55QP

2729GN-270V*

270

126

13.3

60

55

60

100

10

3:1

0.6

55QP

2729GN-270

400

28.2

11

65

50

80

100

10

3:1

0.24

55KR

272SGN-400

500

36

11.4

50

50

100

100

10

3:1

0.18

55KR

2729GN-500V*

500

35.5

11.5

65

54

100

100

10

3:1

02

55KR

272SGN-500

S-Band 2700-3100 MHz GaN on SC HEMT Common Souce

20

0.5

16

50

46

10

200

10

5:1

4.59

55QP

2731GN-20V

100

8

11

50

50

30

3000

30

3:1

1.02

55QP

2731GN-10CLV*

110

8

11.4

50

50

30

200

10

5:1

0.93

55QP

2731GN-110V*

110

7.5

11.7

60

42

30

200

10

5:1

1.1

55QP

2731GN-110M

200

12

122

60

42

500

200

10

3:1

06

55QP

2731GN-200M

220

16

11.4

50

50

80

200

10

31

0.47

55QP

2731GN-220V*

450

36

11

50

46

150

200

10

31

0.19

55KR

2731GN-450V*

S-Band 2700-3500 NUz GaN on SiC HEMT Common Souce

35

2

124

60

40

15

300

10

5:1

24

55QP

2735GN-35M

100

8

11

60

40

30

300

10

5:1

1.1

55QP

2735GN-100M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S-Band 3100-3500 №tz GaN on SiC HEMT Common Souce

20

1

13

50

45

10

300

10

5:1

4.32

55QP

3135GN-20V

110

9

10.87

50

42

30

300

10

5:1

0.68

55QP

3135GN-110V*

120

9

10.8

60

48

30

300

10

3:1

1.1

55QP

3135GN-120M

170

12

11.5

60

35

60

300

10

31

06

55QP

3135GN-170M

200

16

11

50

40

80

300

10

3:1

0.38

55QP

3135GN-200V*

380

36

10

50

40

100

300

10

3:1

0.19

55KR

3135GN-400V*

C-Bond 4400-6000 MHz GaN on SiC HEMT Common Source

100

9

10.45

60

50

30

100

10

3:1

1

55QP

4450GN-100

70

7

10

60

39

30

100

5

3:1

0.94

55QP

5259GN-70