Для авиационной электроники

Microsemi

Для авиационной электроники

  •  Устройства, обладающие наилучшей производительностью среди всех представленных на рынке.
  • Специальные разработки для каждого применения: Mode-5 IFF запросчик, Mode-S ELM запросчик-ответчик, TACAN, DME, TCAS, Data Link.
  • Высочайшая высокая выходная мощность для минимизации числа транзисторов, необходимых для системы.
  • Для удовлетворения характеристикам системы приборы структурированы по параметрам, таким как: время нарастания и время спада, спад импульса, равномерность пачки импульсов, изменение коэффициента усиления по мощности от частоты.
  • Чтобы обеспечить полную совместимость с конечным силовым усилителем покупателя приборы тестируются по всем ВЧ параметрам при минимальной заводской настройке
  • Для предоставления больших возможностей разработчикам предлагаются как МОП транзисторы, выполненные по технологии с широкой запрещенной зоной GaN, так и традиционные биполярные транзисторы.

      

 

Pout Min (W)

Pin Max CW)

Gain Min (dB)

Vcc/Vdd (V)

n Typ (%)

Idq Ave' (mA)

Pulse Width (MS)

Duty Cycle (%)

VSWR Load

0jc (C/W)

Case Style

Part Number

1030/1090 MHz

150

25

7.8

50

40

10

1

30:1

0.3

M138

MS2393

Transponder/Interrogator

175

25

8.5

50

40

10

1

30:1

0.45

55GX-1

TPR175

Silicon Bipolar Class С Common Base

400

75

7.3

50

40

10

1

20:1

02

55CT-1

TPR400

1090 MHz Transponder

0.2

0.02

10

18

CW

30:1

25

M115

MS2290

Si Scon Bipolar Class A

0.6

0.05

10.9

18

CW

__

30:1

35

M220

MS2203

Common Emitter

0.6

0.05

10.9

18

CW

30:1

25

M115

MS2204

1090 MHz Transponder

2

0.25

9

28

35

10

1

10

M220

MS2201

Siicon Bipolar Class С

4

0.4

10

28

35

10

1

35

M115

MS2206

Common Base

35

5.6

8

50

30

10

1

2

M115

MS2341

 

75

13

7.6

50

-

10

1

0.8

M115

MS2361

 

95

10

9.7

40

40

10

1

0.6

M210

MSC1100

 

350

70

6.9

50

40

10

1

20:1

 

M218

MSC1350M

 

450

90

7

50

40

10

1

25:1

0.12

M216

MSC1450M

 

500

150

5.2

50

35

10

1

10:1

01

55CT-1

TPR500

 

500

150

5.2

50

35

10

1

10:1

01

55KT-1

TPR500A

 

600

150

6

50

35

10

1

30:1

0.06

M112

MS2473

 

700

150

6.7

50

35

10

1

10:1

0.06

55KT-1

TPR700

 

1000

208

6.8

50

43

10

1

9:1

0.06

55KV-1

TPR1000

1030 MHz Interrogator Siicon Bipolar Class С Common Base

1000

158

8

50

45

1

1

4:1

0.08

55SW-1

ITC1000

1000

100

10

50

50

1

1

4:1

0.06

55SW-1

ITC1100

1090 MHz TCAS Silicon Bipolar Class С Common Base

400

63

8

50

45

 

32

2

15:1

0.17

M216

M32207

1030 MHz TCAS

450

100

6.5

45

35

32

2

10:1

0.06

55KT-1

TCS450

Sifecon Bipolar Class С

800

100

9

45

45

32

1

4:1

0.09

55SM-1

TCS800

Common Base

1200

150

9

50

45

32

2

4:1

0.02

55TU-1

TCS1200

1030/1090 MHz Mode-S

70

6.5

10.3

50

35

128"

1

5:1

0.8

55GX-1

MOS7D

Sifecon BipolarClassC

75

9

92

50

48

32

2

10:1

0.86

M214

MS2228

Common Base

150

20

10

50

40

128"

1

3:1

0.5

55AW-1

MDS150

 

400

90

6.5

45

35

32

1

10:1

0.15

55KT-1

M 03-100

 

500

70

8.5

50

45

32

2

4:1

0.12

55ST-1

10500

 

500

70

8.5

50

45

32

2

4:1

0.12

55SM-1

10502

 

800

100

9

50

40

128"

1

4:1

0.12

 55ST-1

MOS8OO

 

1100

115

9.4

50

40

128"

1

4:1

0.02

55TU-1

MDS1100

 

1400

170

9.1

52

45

32

2

3:1

0.025

55TU-1

MDS1400

1030/1090 MHz MOOE 3-ELM

60

6

10

50

40

2400

6.4

2:1

05

55AW-1

MOS6OL

Sifecon Bipolar Class С

140

15.7

9.5

50

50

2400""

6.4

2:1

0.15

55AW

MDS140L

Common Base

500

70

8.5

50

55

2400""

6.4

3:1

0.15

55ST-1

MDS500L

1030 MHz Mode-S ELM GaN on SC HEMT Ctass AB Common Source

700

5

21.5

65

70

65

2400""

6.4

3:1

025

55KR

1011GN-7C0ELM

1030/1090 MHz Mode-S ELM

650

5

20.8

65

65

100

2400""

6.4

3:1

025

55KR

MDS-GN-650ELM

GaN on SiC HEMT Class AB Common Source

750

14.1

17.2

50

68

100

2400""

6.4

3:1

024

55KR

MDS-GN-750ELMV*

1030 MHz Mode-S/TCAS/IFF GaN on SiC HEMT Ctass AB Common Source

1000

17.8

17.5

50

55

100

32

2

3:1

0.12

55KR

1011GN-1000V'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pout Min (W)

Pin Max (W)

Gain Min (dB)

Vcc/ Vdd (V)

n Typ (%)

Idq Ave1 (mA)

Pulse Width (MS)

Duty Cycle (%)

VSWR Load

0jc(C/W)

Case Style

Part Number

960-1215 MHz DME/TAGAN 9 Bipolar Oass С Common Base

7

1

85

50

25

 

10

1

10:1

35

55CT-1  

0912-7  

15

15

10

50

30

 

10

1

10:1

2

M105

MS2321

25

35

8.5

50

45

 

10

1

10:1

1.4

55CT-1

0912-25

45

7

8.1

50

45

 

10

1

10:1

0.8

55CT-1

0912-45

1025-1150 MHz Air OME

0.6

0.05

10.8

18

CW

10:1

33

55FW-2

1000MP

9 Bipolar Class A CW Convnon Emitter

1025-1150 MHz Air OME

2

05

10

35

45

20

1

10:1

10

55FW-1

1002MP

9 Bipolar Class С

2

0.25

9

35

35

10

1

20:1

10

M115

MS22Q2

Common Base

4

05

9

35

35

10

1

20:1

7

55FW-1

1004MP

 

4

05

9

28

35

10

1

20:1

5

M220

MS2205

 

5

0.55

95

28

10

1

20:1

8

M115

SD1526-01

 

15

15

10

50

35

10

1

10:1

2

55FW-1

1015MP

 

15

15

10

50

M115

MSC1015MP

 

35

35

10

50

45

10

1

10:1

1

55FW-1

1035MP

 

35

3

10.6

50

43

10

1

20:1

1

M220

MS2553

 

35

3

107

50

48

10

1

20:1

1

M115

MS2575

 

75

12

7.8

50

45

10

1

10:1

0.8

55FW-1

1075MP

 

75

13

7.6

50

1

M115

MSC1075MP

 

90

14

8.1

50

45

10

1

10:1

0.8

55FW-1

1090MP

 

90

13

8.4

50

10

1

20:1

0.6

M115

S01536-03

 

90

13

8.4

50

10

1

20:1

0.6

M105

S01536-08

 

150

25

7.8

50

40

10

1

20:1

0.6

55AY-1

DME150

 

175

30

7.6

50

40

10

1

20:1

0.3

M218

МSС1175М

 

250

60

62

50

40

10

1

20:1

02

M218

MS2554

 

300

70

6.3

50

35

10

1

30:1

02

M103

MS2421

 

375

85

6.4

50

40

10

1

30:1

02

55AT-1

DME375A

 

400

90

65

50

10

1

30:1

012

Ml 12

MS2441

 

400

90

65

50

40

10

1

25:1

012

M216

MSC1400M

 

500

125

6

50

35

10

1

10:1

0.1

55KT-1

DME500

 

550

150

5.6

50

10

1

30:1

0.06

M112

MS2472

 

800

100

9

50

40

10

1

5:1

0.05

55ST-1

DME800

1025-1150 MHz Air OME

700

126

17.4

50

60

100

20

6

3:1

021

55KR

DME-GN-700V*

GaN on 9C Class AB Common Soivce

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

960-1215 MHz Data Link

6

0.7

95

28

45

6.4

21

5:1

7

M222

MS2211

9 Bipolar Class С

15

23

8.1

28

45

10

21

20:1

3

M222

MS2212

Common Base

25

5

7

36

40

10

40

5:1

1.8

55AT-1

JTDB25

 

30

5

7.8

35

40

6.4

21

15:1

22

M214

MS2213

 

50

10

7

36

40

10

22

10:1

0.8

55AT-1

JTDA50

 

75

15

7

36

40

10

40

3:1

0.8

55AT-1

JTDB75

 

85

15

75

35

40

6.4

21

5:1

075

M218

MS2214

 

145

25

7.6

36

45

7

22

3:1

05

55KT-1

JTDA150A

 

150

26.7

75

35

45

7

21

057

M216

MS2215

960-1215 MHz TACAN

15

3

7

40

40

20

5

10:1

1

55LT-1

TAN15

9 Bipolar Oass С Common Base

75

12

8

50

40

20

5

30:1

0.6

55AZ-1

TAN75A

 

90

13

8.4

50

38

10

10

0.8

M218

MS2209

 

150

30

7

50

38

20

5

10:1

05

55AT-1

TAN150

 

250

60

02

50

40

20

5

5:1

05

55AT-1

TAN250A

 

250

40

8

50

38

20

5

0.28

M214

MS2267

 

300

60

7

50

38

10

10

15:1

0.16

M216

MS2210

 

300

60

7

50

45

20

5

5:1

0.15

55KT-1

TAN300

 

350

60

7.6

50

38

10

10

15:1

0.16

M216

MS2272

 

350

70

7

50

40

10

10

3:1

0.12

55ST-1

TAN350

 

500

70

9

50

40

10

10

3:1

0.07

55ST-1

TAN500

960-1215 MHz HO Data Link

20

04

17

50

55

10

128

10

5:1

6.56

55KR

0912GN-20V*

GaN on 9C HEMT Oass AB

100

25

16

50

55

30

3000

30

3:1

1.07

55KR

0912GN-100LV*

Common Souce

300

4

17.5

65

55

50

128

10

3:1

0.3

55KR

0912GN-300

 

300

63

16.8

50

55

50

128

10

3:1

0.44

55KR

0912GN-300V’

 

600

8

18

65

55

100

128

10

3:1

0.2

55KR

0912GN-600

 

650

112

17.6

50

58

100

128

10

3:1

0.23

55KR

0912GN-650V*

 

"  Burst of 0.5us ON/0.5us OFF x128 repeated at 6.4ms

"" Burst of 32us ON/18us OFF x 48 repeated at 24ms

*  Consult factory for final qualification information